局部放電測(cè)試儀檢測(cè)缺陷部位和缺陷類型判斷依據(jù)

局部放電測(cè)試儀檢測(cè)缺陷部位和缺陷類型判斷依據(jù)

　　一、缺陷部位判斷依據(jù)

　　(1)多傳感器定位

　　利用時(shí)延方法實(shí)現(xiàn)空間定位。在疑似故障部位利用多個(gè)傳感器同時(shí)測(cè)量，并以信號(hào)首先到達(dá)的傳感器作為觸發(fā)信號(hào)源，就可以得到超聲波從放電源至各個(gè)傳感器的傳播時(shí)間，再根據(jù)超聲波在設(shè)備媒質(zhì)中的傳播速度和方向，就可以確定放電源的空間位置。

　　(2)單傳感器定位

　　移動(dòng)傳感器，測(cè)試氣室不同的部位，找到信號(hào)的大點(diǎn)，對(duì)應(yīng)的位置即為缺陷點(diǎn)。通過(guò)兩種方法判斷缺陷在罐體或中心導(dǎo)體上。

　　方法一，通過(guò)調(diào)整測(cè)量頻帶的方法，將帶通濾波器測(cè)量頻率從100kHz減小到50kHz，如果信號(hào)幅值明顯減小，則缺陷位置應(yīng)在殼體上;信號(hào)水平基本不變，則缺陷位置應(yīng)在中心導(dǎo)體上。

　　方法二，如果信號(hào)水平的大值在罐體表面周線方向的較大范圍出現(xiàn)，則缺陷位置應(yīng)在中心導(dǎo)體上;如果大值在一個(gè)特定點(diǎn)出現(xiàn)，則缺陷位置應(yīng)在殼體上。缺陷類型判斷依據(jù)見(jiàn)表C.1。

　　二、缺陷類型判斷依據(jù)

　　(1)自由金屬微粒

　　對(duì)于運(yùn)行中的設(shè)備，微粒信號(hào)的幅值：背景噪聲

　　注：這里的推薦參考值，各地因設(shè)備狀況、運(yùn)行條件和檢測(cè)儀器等因素的不同，推薦參考值可能不同。各地可根據(jù)的歷史檢測(cè)數(shù)據(jù)、自身所能承受的系統(tǒng)風(fēng)險(xiǎn)進(jìn)行統(tǒng)計(jì)分析，定期修訂完善推薦參考值。

　　(2)電暈放電(數(shù)據(jù)參考帶電設(shè)備帶電檢測(cè)技術(shù)規(guī)范中規(guī)定)

　　毛刺一般在殼體上，但導(dǎo)體上的毛刺危害更大。只要信號(hào)高于背景值，都是有害的，應(yīng)根據(jù)工況酌情處理。在耐壓過(guò)程中發(fā)現(xiàn)毛刺放電現(xiàn)象，即便低于標(biāo)準(zhǔn)值，也應(yīng)進(jìn)行處理。

　　(3)懸浮電位

　　電位懸浮一般發(fā)生在斷路器氣室的屏蔽松動(dòng)，PT/CT氣室絕緣支撐松動(dòng)或偏移，母線氣室絕緣支撐松動(dòng)或偏移，氣室連接部位接插件偏離或螺栓松動(dòng)等。設(shè)備內(nèi)部只要形成了電位懸浮，就是危險(xiǎn)的，應(yīng)加強(qiáng)監(jiān)測(cè)，有條件就應(yīng)及時(shí)處理。對(duì)于126kV GIS，如果100Hz信號(hào)幅值遠(yuǎn)大于50Hz信號(hào)幅值，且Vpeak>10mV，應(yīng)縮短檢測(cè)周期并密切監(jiān)測(cè)其增長(zhǎng)量，如果Vpeak>20mV，應(yīng)停電處理。對(duì)于363kV和550kV及以上設(shè)備，應(yīng)提高標(biāo)準(zhǔn)。

　　注：這里的推薦參考值，各地因設(shè)備狀況、運(yùn)行條件和檢測(cè)儀器等因素的不同，推薦參考值可能不同。各地可根據(jù)的歷史檢測(cè)數(shù)據(jù)、自身所能承受的系統(tǒng)風(fēng)險(xiǎn)進(jìn)行統(tǒng)計(jì)分析，定期修訂完善推薦參考值。其中，A(dBmV)=20lg(B mV /1mV)。