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如何測量包含在回路中但不改變電路的接觸電阻?

更新時(shí)間:2022-04-27   點(diǎn)擊次數:513次

 如何測量包含在回路中但不改變電路的接觸電阻?

  一種新方法將解決它。這種方法對于測量復雜機械裝配中的接觸電阻非常有用。接觸電阻定義為觸點(diǎn)兩端的電壓與流過(guò)一對閉合觸點(diǎn)的電流之比。它符合歐姆定律。金屬 1 和金屬 2 之間有一個(gè)接口。來(lái)自電流源的電流 I 流過(guò)這個(gè)接口,可以從電流表中讀取。然后可以從電壓表中讀取界面上的電壓降為 U。然后可以計算出接觸電阻值 Rx。

  Rx=U/I

  由于接觸電阻隨環(huán)境和電流通過(guò)而變化,因此測量條件應與使用條件接近。精確測量必須使用四端測量技術(shù)和消除熱電動(dòng)勢技術(shù)。這種間接測量方法可用于測量接觸電阻或回路電阻。它需要三個(gè)測試點(diǎn)、三個(gè)步驟和三個(gè)公式。該方法已被證實(shí)是正確的,也可用于校準環(huán)路電阻標準。

  接觸電阻測試的典型方法

  四線(xiàn)(開(kāi)爾文)直流電壓降是微歐表進(jìn)行接觸電阻測試的典型方法,它通過(guò)消除自身的接觸電阻和測試引線(xiàn)的電阻來(lái)確保更準確的測量。

  接觸電阻測試使用兩個(gè)電流連接進(jìn)行注入,使用兩個(gè)電位引線(xiàn)進(jìn)行電壓降測量;電壓電纜必須盡可能靠近要測試的連接,并且始終位于連接的電流引線(xiàn)形成的電路內。

  根據電壓降的測量,微處理器控制的微歐表計算接觸電阻,同時(shí)消除連接中的熱 EMF 效應可能產(chǎn)生的誤差(熱 EMF 是兩種不同金屬連接在一起時(shí)產(chǎn)生的小熱電偶電壓)它們將被添加到測量的總電壓降中,如果不通過(guò)不同的方法(極性反轉和平均,直接測量熱 EMF 幅度等)從測量中減去它們,則會(huì )在接觸電阻測試中引入誤差。

  如果在使用低電流測試斷路器接觸電阻時(shí)獲得低電阻讀數,則建議在更高電流下重新測試觸點(diǎn)。為什么我們會(huì )受益于使用更高的電流?較高的電流將能夠克服端子上的連接問(wèn)題和氧化,在這些條件下,較低的電流可能會(huì )產(chǎn)生錯誤的(較高的)讀數。

  在接觸電阻測試中保持一致的測量條件非常重要,以便能夠與之前和未來(lái)的結果進(jìn)行比較以進(jìn)行趨勢分析。因此,在進(jìn)行定期測量時(shí),必須在相同的位置、使用相同的測試引線(xiàn)(始終使用制造商提供的校準電纜)和相同的條件下進(jìn)行接觸電阻測試,以便能夠知道何時(shí)連接、連接、焊接或設備將變得不安全。

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